Nd:YVO4 – твердотельные лазеры с диодной накачкой
Описание продукта
Nd:YVO4 может производить мощные и стабильные ИК-, зеленые и синие лазеры с конструкцией Nd:YVO4 и кристаллами с удвоением частоты.Для приложений, в которых необходимы более компактная конструкция и выходной сигнал с одной продольной модой, Nd:YVO4 показывает свои особые преимущества перед другими обычно используемыми лазерными кристаллами.
Преимущества Nd: YVO4
● Низкий порог генерации и высокая эффективность наклона.
● Большое поперечное сечение стимулированного излучения на длине волны генерации.
● Высокое поглощение в широком диапазоне длин волн накачки.
● Оптически одноосный и с большим двойным лучепреломлением излучает поляризованный лазер.
● Низкая зависимость от длины волны накачки и склонность к одномодовому выходному сигналу.
Основные свойства
| Атомная плотность | ~1,37x1020 атомов/см2 |
| Кристальная структура | Циркон Тетрагональный, пр. группа D4h, a=b=7,118, c=6,293 |
| Плотность | 4,22 г/см2 |
| Твердость по Моосу | Стеклянный, 4,6 ~ 5 |
| Тепловое расширение Коэффициент | αа=4,43x10-6/К,αc=11,37x10-6/К |
| Температура плавления | 1810 ± 25 ℃ |
| Длина волны генерации | 914 нм, 1064 нм, 1342 нм |
| Тепловая оптическая Коэффициент | дна/дТ=8,5х10-6/К, днк/дТ=3,0х10-6/К |
| Вынужденное излучение Поперечное сечение | 25,0x10-19 см2, @1064 нм |
| флуоресцентный Продолжительность жизни | 90 мс (около 50 мс для 2 атм% легированного Nd) @ 808 нм |
| Коэффициент поглощения | 31,4 см-1 при 808 нм |
| Длина поглощения | 0,32 мм @ 808 нм |
| Внутренние потери | Менее 0,1% см-1, @1064 нм |
| Увеличение пропускной способности | 0,96 нм (257 ГГц) @ 1064 нм |
| Поляризованный лазер Эмиссия | параллельно оптической оси (ось c) |
| Диодная накачка Оптический к оптическому Эффективность | > 60% |
| Уравнение Селлмейера (для чистых кристаллов YVO4) | no2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 - 0,04724) - 0,0108133λ2 |
| no2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) - 0,0122676λ2 |
Технические параметры
| Концентрация легирующей примеси Nd | 0,2 ~ 3 ат% |
| Толерантность к легирующим примесям | в пределах 10% концентрации |
| Длина | 0,02 ~ 20 мм |
| Спецификация покрытия | AR @ 1064 нм, R<0,1% и HT @ 808 нм, T>95% |
| HR @ 1064 нм, R> 99,8% и HT @ 808 нм, T> 9% | |
| HR @ 1064 нм, R>99,8%, HR @ 532 нм, R>99% и HT @ 808 нм, T>95% | |
| Ориентация | кристаллическое направление среза a (+/-5 ℃) |
| Размерный допуск | +/-0,1 мм (типично), высокая точность +/-0,005 мм может быть доступна по запросу. |
| Искажение волнового фронта | <λ/8 при 633 нм |
| Качество поверхности | Лучше, чем 20/10 царапин/копаний по MIL-O-1380A |
| Параллелизм | < 10 угловых секунд |
Напишите свое сообщение здесь и отправьте его нам
