fot_bg01

Продукты

Nd:YVO4 – твердотельные лазеры с диодной накачкой

Краткое описание:

Nd:YVO4 — один из наиболее эффективных лазерных хост-кристаллов, существующих в настоящее время для твердотельных лазеров с диодной лазерной накачкой. Nd:YVO4 — превосходный кристалл для мощных, стабильных и экономичных твердотельных лазеров с диодной накачкой.


Детали продукта

Теги продукта

Описание продукта

Nd:YVO4 может производить мощные и стабильные ИК-, зеленые и синие лазеры с конструкцией Nd:YVO4 и кристаллами с удвоением частоты. Для приложений, в которых необходимы более компактная конструкция и выходной сигнал с одной продольной модой, Nd:YVO4 показывает свои особые преимущества перед другими обычно используемыми лазерными кристаллами.

Преимущества Nd: YVO4

● Низкий порог генерации и высокая эффективность наклона.
● Большое поперечное сечение стимулированного излучения на длине волны генерации.
● Высокое поглощение в широком диапазоне длин волн накачки.
● Оптически одноосный и с большим двойным лучепреломлением излучает поляризованный лазер.
● Низкая зависимость от длины волны накачки и склонность к одномодовому выходному сигналу.

Основные свойства

Атомная плотность ~1,37x1020 атомов/см2
Кристаллическая структура Циркон Тетрагональный, пр. группа D4h, a=b=7,118, c=6,293
Плотность 4,22 г/см2
Твердость по Моосу Стеклянный, 4,6 ~ 5
Тепловое расширение
Коэффициент
αа=4,43x10-6/К,αc=11,37x10-6/К
Точка плавления 1810 ± 25 ℃
Длина волны генерации 914 нм, 1064 нм, 1342 нм
Тепловая оптическая
Коэффициент
дна/дТ=8,5х10-6/К, днк/дТ=3,0х10-6/К
Вынужденное излучение
Поперечное сечение
25,0x10-19 см2, @1064 нм
флуоресцентный
Продолжительность жизни
90 мс (около 50 мс для 2 атм% легированного Nd)
@ 808 нм
Коэффициент поглощения 31,4 см-1 при 808 нм
Длина поглощения 0,32 мм @ 808 нм
Внутренние потери Менее 0,1% см-1, @1064 нм
Увеличение пропускной способности 0,96 нм (257 ГГц) @ 1064 нм
Поляризованный лазер
Эмиссия
параллельно оптической оси (ось c)
Диодная накачка
Оптический к оптическому
Эффективность
> 60%
Уравнение Селлмейера (для чистых кристаллов YVO4) no2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 - 0,04724) - 0,0108133λ2
  no2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) - 0,0122676λ2

Технические параметры

Концентрация легирующей примеси Nd 0,2 ~ 3 ат%
Толерантность к легирующим примесям в пределах 10% концентрации
Длина 0,02 ~ 20 мм
Спецификация покрытия AR @ 1064 нм, R<0,1% и HT @ 808 нм, T>95%
HR @ 1064 нм, R> 99,8% и HT @ 808 нм, T> 9%
HR @ 1064 нм, R>99,8%, HR @ 532 нм, R>99% и HT @ 808 нм, T>95%
Ориентация кристаллическое направление a-среза (+/-5℃)
Размерный допуск +/-0,1 мм (типично), высокая точность +/-0,005 мм может быть доступна по запросу.
Искажение волнового фронта <λ/8 при 633 нм
Качество поверхности Лучше, чем 20/10 царапин/копаний по MIL-O-1380A
Параллелизм < 10 угловых секунд

  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам