Спектральный диапазон материала InGaAs составляет 900-1700 нм, а шум умножения ниже, чем у германиевого материала. Обычно он используется в качестве умножающей области для гетероструктурных диодов. Материал пригоден для высокоскоростной оптоволоконной связи, а коммерческие продукты достигают скорости 10 Гбит/с и выше.