fot_bg01

Продукты

Кристаллы AgGaSe2 — края полос при 0,73 и 18 мкм

Краткое описание:

Кристаллы AGSe2 AgGaSe2(AgGa(1-x)InxSe2) имеют края зон поглощения при 0,73 и 18 мкм. Их полезный диапазон пропускания (0,9–16 мкм) и широкий диапазон фазового согласования обеспечивают превосходный потенциал для применения в ПГС при накачке различными лазерами.


Подробная информация о продукте

Теги продукта

Описание продукта

Получена перестройка в диапазоне 2,5–12 мкм при накачке Ho:YLF-лазером на длине волны 2,05 мкм, а также работа в режиме некритического фазового синхронизма (НФС) в диапазоне 1,9–5,5 мкм при накачке на длине волны 1,4–1,55 мкм. Показано, что AgGaSe2 (AgGaSe) является эффективным удвоителем частоты излучения инфракрасных CO2-лазеров.
Работая в сочетании с коммерчески доступными синхронно накачиваемыми оптическими параметрическими генераторами (SPOPO) в фемтосекундном и пикосекундном режимах, кристаллы AgGaSe2 продемонстрировали свою эффективность в нелинейном параметрическом преобразовании с понижением частоты (генерации разностной частоты, DGF) в среднем ИК-диапазоне. Нелинейный кристалл AgGaSe2 в среднем ИК-диапазоне обладает одним из самых высоких показателей добротности (70 пм2/В2) среди коммерчески доступных кристаллов, что в шесть раз больше, чем у эквивалента AGS. AgGaSe2 также предпочтительнее других кристаллов среднего ИК-диапазона по ряду конкретных причин. Например, AgGaSe2 имеет меньший пространственный снос и менее доступен для обработки для конкретных применений (например, направления роста и резки), хотя и обладает большей нелинейностью и эквивалентной площадью прозрачности.

Приложения

● Генерация вторых гармоник на CO и CO2-лазерах
● Оптический параметрический генератор
● Генератор различных частот для средней инфракрасной области до 17 мкм.
● Смешение частот в средней ИК-области

Основные свойства

Кристаллическая структура Тетрагональный
Параметры ячеек а=5,992 Å, с=10,886 Å
Температура плавления 851 °С
Плотность 5.700 г/см3
Твердость по шкале Мооса 3-3,5
Коэффициент поглощения <0,05 см-1 при 1,064 мкм
<0,02 см-1 при 10,6 мкм
Относительная диэлектрическая проницаемость
@ 25 МГц
ε11s=10,5
ε11t=12,0
Тепловое расширение
Коэффициент
||С: -8,1 x 10-6 /°С
⊥С: +19,8 x 10-6 /°С
Теплопроводность 1,0 Вт/м/°С

  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам