fot_bg01

Продукты

Кристаллы AgGaSe2 — края полос 0,73 и 18 мкм

Краткое описание:

Кристаллы AGSe2 AgGaSe2(AgGa(1-x)InxSe2) имеют края полос 0,73 и 18 мкм. Его полезный диапазон передачи (0,9–16 мкм) и широкие возможности фазового согласования обеспечивают отличный потенциал для приложений OPO при накачке различными лазерами.


Детали продукта

Теги продукта

Описание продукта

Перестройка в пределах 2,5–12 мкм получена при накачке Ho:YLF-лазером на длине волны 2,05 мкм; а также работу некритического фазового синхронизма (NCPM) в пределах 1,9–5,5 мкм при накачке на 1,4–1,55 мкм. Было продемонстрировано, что AgGaSe2 (AgGaSe) является эффективным кристаллом удвоения частоты для излучения инфракрасных CO2-лазеров.
Работая в сочетании с коммерчески доступными параметрическими оптическими генераторами с синхронной накачкой (SPOPO) в фемтосекундном и пикосекундном режиме, кристаллы AgGaSe2 показали свою эффективность в нелинейном параметрическом преобразовании с понижением частоты (генерации разностной частоты, DGF) в среднем ИК-диапазоне. Нелинейный кристалл AgGaSe2 среднего ИК диапазона имеет один из самых высоких показателей добротности (70 пм2/В2) среди коммерчески доступных кристаллов, что в шесть раз превышает аналогичный показатель AGS. AgGaSe2 также предпочтительнее других кристаллов среднего ИК-диапазона по ряду конкретных причин. AgGaSe2, например, имеет меньший пространственный сдвиг и менее доступен для обработки для конкретных применений (например, направление роста и резки), хотя имеет большую нелинейность и эквивалентную площадь прозрачности.

Приложения

● Генерация второй гармоники на CO и CO2 – лазерах.
● Оптический параметрический генератор.
● Генератор различной частоты для средних инфракрасных диапазонов до 17 мкм.
● Смешение частот в среднем ИК-диапазоне

Основные свойства

Кристаллическая структура четырехугольный
Параметры ячейки а=5,992 Å, c=10,886 Å
Точка плавления 851 °С
Плотность 5.700 г/см3
Твердость по Моосу 3-3,5
Коэффициент поглощения <0,05 см-1 при 1,064 мкм
<0,02 см-1 при 10,6 мкм
Относительная диэлектрическая проницаемость
@ 25 МГц
ε11s=10,5
ε11t=12,0
Тепловое расширение
Коэффициент
||С: -8,1 х 10-6 /°С
⊥С: +19,8 х 10-6 /°С
Теплопроводность 1,0 Вт/м/°C

  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Напишите здесь свое сообщение и отправьте его нам